收藏本站
IXFH120N20P
IXFK120N20P
180
Fig. 7. Input Adm ittance
90
Fig. 8. Transconductance
80
150
70
120
60
50
90
40
T J = -40 o C
25 o C
60
30
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
30
20
10
0
150 o C
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
0
30
60
90
120
150
180
210
350
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs .
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 100V
300
250
200
150
100
T J = 150 o C
8
7
6
5
4
3
2
I D = 60A
I G = 10mA
50
0
T J = 25 o C
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
80
100
120
140
160
100,000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
1000
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Are a
T J = 175 o C
R DS(on) Limit
T C = 25 o C
10,000
C iss
25μs
1,000
100
C oss
C rss
100
10
DC
100μs
1ms
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V D S - Volts
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFK120N20 MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
IXFK120N25 MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
IXFK140N20P MOSFET N-CH 200V 140A TO-264
IXFK140N30P MOSFET N-CH 300V 140A TO-264
IXFK150N15P MOSFET N-CH 150V 150A TO-264
IXFK150N15 MOSFET N-CH 150V 150A TO-264
IXFK170N10P MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
IXFK170N10 MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA
相关代理商/技术参数
IXFK120N25 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK120N25P 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK120N30P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK120N30T 功能描述:MOSFET 120A 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK140N20P 功能描述:MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK140N25T 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 250V 140A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK140N30P 功能描述:MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK150N10 功能描述:MOSFET 150 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube